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厂商型号

TN2907A 

产品描述

Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin TO-226 Bulk

内部编号

3-TN2907A

#1

数量:9321
1+¥2.7738
25+¥2.6197
100+¥2.4656
500+¥2.3885
1000+¥2.2344
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:4500
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TN2907A产品详细规格

规格书 TN2907A datasheet 规格书
TN2907A
文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,500
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.6V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装 TO-226
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.8
最小直流电流增益 75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极基极电压 60
最低工作温度 -55
包装高度 7.87(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
PCB 3
每个芯片的元件数 1
包装宽度 3.93(Max)
供应商封装形式 TO-226
包装长度 4.7(Max)
最大集电极发射极电压 60
类型 PNP
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 800mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.6V @ 50mA, 500mA
标准包装 1,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-226
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1500
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
最大功率耗散 625 mW
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 300
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 60 V
单位重量 0.008818 oz
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO - 60 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 0.8 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.8 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.8 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-226
元件数 1
直流电流增益(最小值) 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.8 A
直流电流增益 75
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 50mA, 500mA
晶体管类型 PNP
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA, 10V
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
功率 - 最大值 625mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 800mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 60V

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