规格书 |
TN2907A |
文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 800mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.6V @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 150mA, 10V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
供应商器件封装 | TO-226 |
包装材料 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 0.8 |
最小直流电流增益 | 75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA... |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极基极电压 | 60 |
最低工作温度 | -55 |
包装高度 | 7.87(Max) |
安装 | Through Hole |
最大功率耗散 | 625 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Bulk |
PCB | 3 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 3.93(Max) |
供应商封装形式 | TO-226 |
包装长度 | 4.7(Max) |
最大集电极发射极电压 | 60 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 800mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
标准包装 | 1,500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO-226 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1500 |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
最大功率耗散 | 625 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 60 V |
单位重量 | 0.008818 oz |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极最大直流电流 | 0.8 A |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.8 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.8 A |
集电极 - 基极电压 | 60 V |
集电极 - 发射极电压 | 60 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-226 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 100 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 0.8 A |
直流电流增益 | 75 |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 1.6V @ 50mA, 500mA |
晶体管类型 | PNP |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA, 10V |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
功率 - 最大值 | 625mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
TN2907A也可以通过以下分类找到
TN2907A相关搜索
咨询QQ
热线电话